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Typical Characteristics
10
1000
I D = 3.0A
V DS = 20V
40V
f = 1MHz
V GS = 0 V
8
6
4
60V
800
600
400
C ISS
2
0
200
0
C RSS
C OSS
0
3
6
9
12
15
0
20
40
60
80
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
1ms
40
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
10ms
R θ JA = 156 C/W
T A = 25 C
1
0.1
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
o
o
DC
10s
100ms
1s
30
20
10
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 156°C/W
P(pk )
0.01
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC3512 Rev B2(W)
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